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NTMFS4821N
2000
12
1800
1600
1400
1200
1000
T J = 25 ° C
C iss
10
8
6
QT
800
600
400
200
C oss
C rss
4
2
Q gs
Q gd
V GS
ID = 30 A
T J = 25 ° C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
4
8
12
16
20
24
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
20
15
10
5
1
1
10
100
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
90
80
70
I D = 24 A
10
1
0.1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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